Погода:
Киев сегодня
Киев
Донецк
Одесса
Львов
Харьков
Санкт-Петербург
Москва
Сегодня Завтра
НБУ
НБУ Межбанк Наличные
EUR
31.74
USD
27.78
RUB
0.42
EUR
31.62
USD
27.72
RUB
0.42
EUR
29.22
USD
26.07
RUB
0.46
Samsung производит чипы памяти V-NAND пятого поколения
V-NAND
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • Текущий рейтинг
0/5 (0 голосов)
Компания Samsung сообщила о начале массового производства своих первых чипов V-NAND пятого поколения.
Впервые в отрасли в них используется интерфейс Toggle DDR 4.0. Благодаря этому обеспечивается скорость передачи данных на уровне 1,4 Гбит/с, что на 40% превышает возможности 64-слойных чипов предыдущего поколения.

Чипы памяти Samsung V-NAND пятого поколения имеют 90-слойную структуру, а их ёмкость составляет 256 Гбит. Каждая ячейка способна хранить 3 бита данных. Новинки отличаются повышенной энергоэффективностью благодаря снижению рабочего напряжения питания с 1,8 В (у чипов предыдущего поколения) до 1,2 В.Также для новых чипов улучшен показатель времени отклика при записи данных – до 500 мкс. Это на 30% лучше, чем у предшественников. Время отклика при чтении данных также снижено и теперь составляет 50 мкс. Вместе с тем, Samsung улучшила и производственный процесс изготовления сипов V-NAND пятого поколения, благодаря чему эффективность производства повысилась более чем на 30%.

Компания Samsung намерена быстро наращивать объёмы производства чипов памяти V-NAND пятого поколения. Эти устройства могут использоваться в широком перечне устройств, включая смартфоны, корпоративные серверы и суперкомпьютеры.

Источник: itc.ua/

  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • Текущий рейтинг
Комментарии (0)
Войти через: