Согласно условиям соглашения, GlobalFoundries будет использовать для производства свой завод Fab 8, где полномасштабное производство будет развернуто во второй половине 2012 года. Тестовые образцы чипов IBM уже недавно начала производить на собственном заводе в Ист-Фишкилл, где также выпускаются 300-миллиметровые кремниевые подложки для микрочипов.
Новые совместные чипы будут базироваться на 32-нанометровой технологии Silicon-On-Insulator, которая ранее уже была разработана в сотрудничестве GlobalFoundries и IBM. Сейчас компании заявляют, что новые технологии помогут в будущем выпускать процессоры с еще большим количеством вычислительных ядер и более высокой производительностью.
Сейчас компании говорят о сотрудничестве в области 32-нанометровых чипов, однако в перспективе обе стороны заинтересованы в продлении соглашения с целью разработки более продвинутых 28-нанометровых чипов, использующих фирменные технологии High-K Metal Gate по выпуску нового типа процессорных транзисторов с более быстрыми затворами для ускоренного переключения в процессе работы.
Кроме того, стороны договорились интегрировать в чипы технологию IBM eDRAM (embedded dynamic random access memory) позволяющую размещать дополнительные объемы памяти прямо на центральном процессоре, что позволяет добиться роста производительности последнего.
