Пробный образец чипа был произведен на основе 50-нанометрового технологического процесса, а минимальный массив ячеек памяти составляет 64 мегабита, что является самым плотным размещением для энергонезависимой памяти.
В Elpida говорят, что работы над чипами ReRAM ведутся совместными усилиями с Sharp, японским государственным Институтом промышленных наук и технологий, а также Университетом Токио.
ReRAM-чипы потребляют меньше электроэнергии в сравнении с используемыми на сегодня чипами памяти NAND, но способны записывать данные в 10 000 раз быстрее. Использовать новые модули памяти предлагается как в компьютерах, так и в устройствах потребительской электроники - камерах, плеерах и т д.
Модули данной памяти будут встраиваться также в устройства, работающие с видеозаписями в формате HD, способными записывать и передавать полнометражные фильмы за пару секунд, а в режиме ожидания снижать до нуля свое энергопотребление. Конкурирующая компания Toshiba тоже работает над новым типом памяти со слоеной структурой, тогда как корейская Samsung готовится начать как производство чипов ReRAM, так и чипов памяти PRAM или phase-change random access memory. Вероятно, что освоит Samsung и выпуск чипов магниторезистивной памяти MRAM.
В Elpida говорят, что намерены начать массовый выпуск готовых ко внедрению ReRAM-чипов в 2013 году, доведя технологический процесс до 30 нанометров.
