Созданы чипы по 60-нм технологическому процессу, а также с применением фирменной патентованной технологии OneDRAM, объединяющей ряд новых и ранее использованных технологий оперативной памяти.
В компании говорят, что в ближайшие месяцы компания представит гигабайтные модули PRAM, а в перспективе именно этот формат станет для Samsung основным в линейке встраиваемой памяти, полностью заместив собой существующие образцы NOR-памяти.
Новые чипы обладают рекордной скоростью работы, как сообщают в Samsung, 512-мегабафтный чип может стирать до 64 000 логических слов за 80 миллисекунд, что в 10 раз быстрее, чем NOR-память. Записывается информация здесь сегментами, максимальный размер которого составляет 5 мегабайт, причем скорость записи у PRAM также в 8 раз быстрее, чем у NOR.
Инженеры говорят, что PRAM является более современным форматом в сравнении в флеш-памятью формата NOR, вместе с тем, в компании подчеркивают, что сферы применения данных разновидностей памяти будут различаться. Новинка обладает расширенным ресурсом, позволяющим гарантировать более 100 миллионов циклов записи, причем память будет энергонезависимой и расчетное время продолжительности хранения данных превышает 10 лет.
В компании отмечают, что свои разработки в области новой памяти также ведут Intel, Hitachi и IBM и все эти компании позиционируют PRAM-память как универсальное решение, придущее на смену NOR.
Специалисты говорят, что на сегодня самой быстрой компьютерной памятью является DDR-пямять, используемая в качестве ОЗУ компьютеров и серверов, время ее доступа к данным составляет около 3 нс. Большинство образов флеш-памяти, используемой в фотоаппаратах, плеерах и прочих устройствах, имеет время доступа 50-90 нс.
Разработки PRAM на сегодня имеют время доступа 20 нс, что конечно же не так быстро как DDR, однако у этих исследований еще большой резерв. И в Intel замечают, что если PRAM-память достигнет скорости DDR, то компьютеры уже ближайшего будущего не будут обладать жестким диском и оперативной памятью - эти устройства заменит единый модуль.
