По информации токийского делового издания Nikkei, Toshiba планирует вложить почти 800 млрд йен в строительство завода в префектуре Миэ на западе Японии.
Завершив строительство завода, компания намерена стать одним из крупнейших мировых игроков на рынке памяти формата NAND, подвинув на этом направлении компании Samsung, Intel и Micron.
Строительство завода стартует в середине 2010 года, тогда как первые чипы с нового завода должны будут сойти в первом полугодии 2011 года. Впрочем, в самой компании говорят, что пока не приняли окончательного решения о строительстве и размер инвестиций еще может измениться. "Мы будем внимательно анализировать рыночные условия перед тем, как принять окончательное решение", - говорят в Toshiba.
Напомним, что ранее Toshiba показала снижение в продажах памяти, что увело компанию в зону убытков, тем не менее, за последние полгода на рынке памяти происходит довольно быстрое восстановление и многие производители задумываются о строительстве новых мощностей.
Согласно подсчетам независимых специалистов, новый завод фактически удвоит мощности Toshiba в производстве чипов памяти NAND. В том случае, если завод будет запущен на полную мощность, что здесь можно будет производить до 260 000 кремниевых подложек для будущих чипов.
