Соответствующее промышленное оборудование Toshiba уже заказала у компании ASML. Новыми производственными мощностями заводы Toshiba будут оснащены уже до конца этого года.
С технической точки зрения, чем меньшая технологическая норма используется при производстве микросхем памяти, тем более емкими эти микросхемы могут быть, тем меньше электроэнергии потреблять и меньше рассеивать тепла во время работы. Сейчас Toshiba выпускает NAND-память, созданную по 43-нм и 32-нм технологическому процессу.
Напомним, что в отличие от сверхскоростной DRAM-памяти, используемой для работы с компьютерах, NAND-чипы используются в плеерах, фотокамерах, нетбуках и мобильных телефонах. Эти микросхемы не такие скоростные, как DRAM, но они могут сохранять данные без постоянного доступа электричества.
В газете Nikkei говорится, что Toshiba начнет производство 20 - 25-нанометровой памяти уже в конце 2010 года, а памяти с размером транзистора менее 20 нанометров - в 2012 году. Официально в Toshiba говорят, что компания закупает оборудование для производства чипов с технологической нормой от 29 до 20 нанометров. Причем, представитель Toshiba отметил, что голландский производитель оборудования ASL - это лишь один из поставщиков оборудования для производства NAND-памяти.