Речь идет о чипах, созданных на базе технологии ReRAM или ResistiveRAM. Эти чипы потребляют меньше электроэнергии в сравнении с используемыми на сегодня чипами памяти NAND, но способны записывать данные в 10 000 раз быстрее. Использовать новые модули памяти предлагается как в компьютерах, так и в устройствах потребительской электроники - камерах, плеерах и т д.
Модули данной памяти будут встраиваться также в устройства, работающие с видеозаписями в формате HD, способными записывать и передавать полнометражные фильмы за пару секунд, а в режиме ожидания снижать до нуля свое энергопотребление.
К компаниям Sharp и Elpida в разработке и продвижении памяти ReRAM также присоединятся Университет Токио и Национальный Институт продвинутых промышленных исследований и технологий. Массовое производство чипов компания Elpida, третий крупнейший на сегодня производитель модулей оперативной памяти, начнет в середине 2013 года.
Конкурирующая компания Toshiba тоже работает над новым типом памяти со слоеной структурой, тогда как корейская Samsung готовится начать как производство чипов ReRAM, так и чипов памяти PRAM или phase-change random access memory. Вероятно, что освоит Samsung и выпуск чипов магниторезистивной памяти MRAM
