В Samsung объявили о создании нового модуля памяти типа DIMM емкостью 8 Гб, в котором чипы памяти размещены друг над другом. Как сообщает ComputerWorld, такой подход позволяет увеличить емкость памяти на 50% в сравнении с традиционной технологией DIMM.
Новая регистровая или буферизованная память (RDIMM) основана на технологии Green DDR3 DRAM и будет производиться по 40-нм техпроцессу. Новый модуль памяти предназначен для серверов и корпоративных систем хранения данных.
Технология трехмерного стека также известна как TSV (through silicon via). По словам Samsung, TSV-процесс позволяет экономить до 40% энергии, потребляемой обычной RDIMM. В компании считают, что с его помощью можно увеличить плотность чипов в серверных системах следующего поколения, что делает их привлекательными для высокопроизводительных систем с высокой плотностью записи данных.
При TSV-технологии на кремниевом чипе делаются отверстия размером в микрон не только горизонтально, но и вертикально, что делает архитектуру более плотной. В Samsung планируют со временем освоить 30-нанометровый и еще более малые процессы при производстве TSV.
В корейской компании сообщили, что новый модуль успешно протестирован крупными производственными партнерами.
Цена нового продукта пока не называется. Он станет доступен для производителей оборудования ориентировочно во второй половине 2011 года.
