Японская Elpida Memory накануне сообщила о выпуске первых в отрасли модулей DRAM-памяти, созданных на базе 25-нанометрового технологического процесса. Elpida в понедельник презентовала тестовые 2-гигабитные модули DDR3 SDRAM, потребляющие на 30% меньше электроэнергии в сравнении с модулями, созданными по 30-нанометровому процессу, кроме того в Elpida говорят, что и в производстве новые модули экономичнее - из стандартной кремниевой 300-мм подложки можно изготовить на 30% больше готовой продукции.
В Elpida говорят, что новые модули предназначены для работы в современных настольных ПК и ноутбуках со сниженным энергопотреблением. Согласно замерам потребления в реальных вычислительных операциях потребление подсистемы оперативной памяти в случае с 25-нанометровыми модулями снижается на 20% (на 15% в режиме ожидания).
К концу года Elpida намерена начать производство 4-гигабитных модулей DDR3 SDRAM. В заявлении Elpida говорилось, что компания первой в мире достигла успеха в работе с 25-нанометровой технологией.
Однако глава полупроводникового подразделения Samsung Вон О Хун говорит, что компания Elpida явно торопится с заявлениями о лидерстве над Samsung и говорить об успешной разработке тонких и энергоэффективных модулей можно будет говорить только лишь после начала их массового производства. "Массовое производство у Elpida пока лишь в планах и это вызывает сомнения в заявлениях относительно успеха в 25-нанометровой технологии", - говорит Вон.