В заявлении корейской компании сказано, что новые чипы втрое производительнее предыдущего поколения и имеют емкость до 64 Гб, что вдвое больше, чем у самых емких модулей DDR 1.0.
Использовать новые модули памяти предлагается в смартфонах, интернет-планшетах и при производстве накопителей SSD. За счет поддержки интерфейса DDR 2.0 новые 64-гигабитные чипы поддерживают полосу пропускания данных в 400 Мбит/сек.
Напомним, что современные DDR NAND-чипы идут в двух видах: Toggle mode от Samsung и Toshiba, а также ONFI NAND от рабочей группы Open Nand Flash Inteface, куда входят компании Intel, Micron, SanDisk, Hynix и Spansion.
Модули DDR2.0 поддерживают 10-кратное увеличение полосы пропускания в сравнении с модулями SDR NAND, используемыми в большинстве сегодняшних решений. Новые модули Samsung имеют производительность в 133 Мбит/сек и 32-битный интерфейс передачи. Кроме того, в компании рассказали, что в производстве новые 20-нанометровые модули также более экономичны, в сравнении с предыдущим поколением - из стандартной 300-миллиметровой подложки получается на 50% больше готовой продукции.
