Погода:
Киев сегодня
Киев
Донецк
Одесса
Львов
Харьков
Санкт-Петербург
Москва
Сегодня Завтра
НБУ
НБУ Межбанк Наличные
EUR
26.18
USD
23.49
RUB
0.37
EUR
39.04
USD
36.57
RUB
0.34
EUR
29.22
USD
26.07
RUB
0.46
Грядет выпуск первой в индустрии 2х-нм LPDDR2 на 4 Гбит
Samsung LPDDR2
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • Текущий рейтинг
0/5 (0 голосов)
Samsung Electronics официально сообщила о начале производства первой в индустрии 4-гигабитной памяти типа LPDDR2 с использованием 20-нм класса

 

Данные чипы мобильной памяти DRAM, чей серийный выпуск стартовал в минувшем апреле, предназначены для современных портативных устройств, в том числе смартфонов и планшетов, и должны помочь им стать еще легче, быстрее и обеспечить большее время автономной работы по сравнению с сегодняшними решениями.

Существующая тенденция оснащать планшетные компьютеры и даже высококлассные смартфоны мощными четырехъядерными процессорами предъявляет повышенные требования и к памяти для таких устройств, которая должна стать еще более емкой и энергоэффективной, что обеспечивает повышенное быстродействие и возросшее время автономной работы. И новая память Samsung вполне отвечает этим запросам, давая возможность создавать быстрые мобильные устройства в тонком дизайне.

Более того, на основе упомянутой памяти Samsung может создавать и поставлять на рынок модули емкостью 2 ГБ и толщиной всего 0,8 мм, включающие в себя четыре 4-гигабитных чипа LPDDR2. Подобная упаковка имеет примерно на 20 процентов меньшую толщину по сравнению со своим аналогом с 4-гигабитными чипами, изготовленными по техпроцессу 30-нм класса. Помимо прочего, новая методика обеспечивает скорость работы на уровне 1066 Мбит/с, а сама данная память обещает быть очень востребованной на рынке.

 

  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • Текущий рейтинг
Комментарии (0)
Войти через: