Как сообщает «CyberSecurity», совместная мощность будет расположена в городе Йоккаичи (Япония). В аналитической компании Objective Analysis говорят, что о сделке было объявлено в самом начале второго полугодия, тогда как до конца 2013 года аналитики ожидают значительного количества подобных соглашений между производителями.
Сообщается, что новый проект Fab5 Phase 2 будет использован для производства подложек для 2D- и 3D-NAND чипов. В SanDisk и Toshiba говорят, что по их прогнозам в ближайшие несколько лет индустрия памяти окончательно перейдет на многослойные чипы 3D-NAND, которые предлагают более плотное размещение данных и более высокую емкость.
В компании Toshiba рассказали, что в будущем заводы Fab5, Fab3 и Fab4 будут связаны единой производственной и транспортной базой, которая позволит упростить и удешевить производство, а также значительно сэкономить на эффекте масштаба.