Samsung создала мобильную DRAM с плотностью 8 Гбит
Созданная мобильная DRAM изготовлена с соблюдением 20-нм технологических норм, позволивших разместить на одном кристалле 1 Гбайт оперативной памяти. Чип с фирменным интерфейсом ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) характеризуется высокой пропускной способностью на один вывод, достигающей 3200 Мбит/с. Это в два раза выше показателей представленных на рынке 20-нм микросхем LPDDR3 DRAM, к тому же, новинка потребляет до 40% меньше энергии.
Массовое производство мобильной памяти LPDDR4 DRAM от Samsung начнётся в 2014 году.
Ранее редакторы THG постарались учесть все факторы и опубликовали ежемесячно обновляемый материал, в котором рекомендовали действительно лучший твердотельный накопитель в любой ценовой категории - от дешевле $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье "Лучший SSD: текущий анализ рынка". Заодно вы найдёте там ссылки на самые актуальные развёрнутые обзоры, если захотите уточнить что-нибудь.
