Время 09:45 Дата 25.07.2014
Грядет эпоха смартфонов с терабайтами памяти
В 2013 году стартап Crossbar представил энергонезависимую резистивную память с произвольным доступом RRAM, которая многократно превосходит NAND как по скорости работы, так и по плотности данных.
А теперь компания выдала лицензию на новую технологию одному из крупных производителей памяти.
В Университете Райса показали, что RRAM можно производить при комнатной температуре и относительно невысоком напряжении. Сначала слой диоксида кремния с отверстиями диаметром 5 нм размещают между двумя пластинами из золота и платины, которые выступают в качестве электродов. При подведении к полученной системе напряжения между электродами устанавливается электрическое соединение, а при изменении полярности - формируется разрыв, заполненный кремнием. Сообщается, что резистивная RAM позволяет хранить в одной ячейке памяти девять бит информации.
RRAM отличается низким энергопотреблением, практически не греется под нагрузкой, а новая версия работает до 100 раз дольше первых образцов - по заявлению разработчиков, она способна выдержать сотни тысяч циклов перезаписи. Резистивная RAM до 20 раз быстрее памяти NAND. Как отмечают исследователи, ёмкость чипа размером с почтовую марку может достигать 1 Тбайт, а при увеличении числа слоёв плотность данных будет ещё выше.
Благодаря новой разработке в будущем пользователям мобильных устройств не придётся сетовать на отсутствие слота для карт памяти в своём смартфоне - встроенный накопитель вместит всю необходимую информацию. Уже в этом году появятся чипы RRAM для встроенных систем (например, бортовых компьютеров автомобилей), но имя компании, получившей лицензию на технологию, пока не уточняется.
