Intel запустила производство новой энергонезависимой памяти
Память 3D XPoint может работать до 1000 раз быстрее чем все современные NAND типы памяти на рынке, а благодаря технологии cross point плотность памяти до 10 раз выше чем любой другой обычной DRAM. Это достигается за счет отсутствия у каждой ячейки памяти своего управляющего транзистора, а запись производится подачей тока на перпендикулярные контрольные линии. Это удешевляет производство и увеличивает срок службы памяти, а также позволяет делать память многослойной увеличивая ее объем и плотность.
