Как сообщается в официальном пресс-релизе, в конструкции модуля используются микросхемы памяти DDR3 производства Samsung плотностью 4 Гбит, изготавливаемые по нормам 50-нм.
Напряжение питания микросхем DDR3 DRAM составляет 1.35 В. По словам производителя, снижение напряжения питания микросхем позволит существенно уменьшить энергопотребление модулей памяти и сократить выделение тепла.
В свою очередь, повышение плотности памяти сокращает затраты на модернизацию и обслуживание вычислительной техники.
Аналитики компании IDC оценивают долю памяти типа DDR3 в 29 процентов от общего объема поставок памяти DRAM в текущем году.
Согласно прогнозу IDC, к 2011 году этот показатель вырастет до 75 процентов, что будет означать состоявшийся переход на память нового поколения.